R6035ENZC17
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | R6035ENZC17 |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $7.85 |
10+ | $7.095 |
100+ | $5.8743 |
500+ | $5.1152 |
1000+ | $4.4552 |
2000+ | $4.2902 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3PF |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 18.1A, 10V |
Verlustleistung (max) | 120W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2720 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
Grundproduktnummer | R6035 |
DIODE GP REV 1.2KV 350A DO205AB
FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS
DIODE GP REV 1.2KV 250A DO205AB
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
DIODE GP REV 1.2KV 220A DO205AB
DIODE GP REV 1KV 250A DO205AB
MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
600V 35A TO-220AB, PRESTOMOS WIT
MOSFET N-CH 600V 35A TO3
DIODE GP REV 1.4KV 250A DO205AB
600V 17A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
DIODE GP REV 1.4KV 350A DO205AB
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF
DIODE GP REV 1KV 350A DO205AB
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS
DIODE GP REV 1KV 220A DO205AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() R6035ENZC17Rohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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